Южнокорейская компания Samsung
сообщила о скором начале поставок нового поколения микросхем памяти на
основе фазового перехода – PRAM. Согласно информации от разработчиков,
первые партии устройств отгрузят клиентам уже в июне 2009 года, причем
ими станут решения информационной емкостью 512 Мб.
Главным достоинством памяти на основе фазового перехода
является высокая скорость при произвольном чтении данных и
энергонезависимость, позволяющая хранить записанную информацию без
подвода энергии. Таким образом, память типа PRAM объединяет в себе
сильные стороны оперативной памяти и флэш-памяти – согласно официальным
сведениям, новые микросхемы могут увеличить скоростные возможности
подсистемы памяти в тридцать раз. По сравнению с комбинацией
современной «оперативки» и энергонезависимых накопителей.
В основе технологии Samsung лежит применение такого материала, как
халькогенидное стекло. Материал способен за очень короткий промежуток
времени изменять свое фазовое состояние из кристаллического в аморфное,
и наоборот. Именно за счет этого и достигается высокая скорость
передачи информации. Материал также способен в течение значительного
времени сохранять свое фазовое состояние, что позволяет реализовать
энергонезависимость памяти.
Пока Samsung не разглашает информацию относительно
потенциальных клиентов, которым будет осуществляться поставка первых
PRAM-микросхем. Не называется и основная область применения устройств,
впрочем, их характеристики и компактные размеры позволяют предположить,
что они найдут свое признание в мобильной электронике, выполняя
одновременно роль оперативной памяти и основного накопителя.
Гость, для того чтобы скачать материал, Вам нужно кликнуть по рекламным ссылкам ниже:
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем, что бы не клацать по рекламе.
14:45:57 
